Els semiconductors de potència serveixen com el nucli fonamental dels dispositius electrònics i elèctrics, que inclouen principalment components discrets com FRD, MOSFET i IGBT. La frontera tecnològica actual s'està desplaçant cap a materials semiconductors de-banda gap-com ara SiC (carbur de silici) i GaN-en-Si (nitrur de gal·li sobre silici){-que poden millorar significativament les freqüències de commutació del dispositiu, les capacitats de suport a la tensió i l'eficiència.
A nivell de sistema, la "intel·ligència" dels dispositius electrònics i elèctrics es basa en circuits integrats avançats i arquitectures de programari. Aquests inclouen circuits integrats-de senyal mixt capaços de suportar funcionalitats complexes, així com tecnologies de virtualització de MCU multi-nuclis adaptades per a sectors d'alta-fiabilitat, com ara la indústria de l'automòbil. Els ecosistemes de programari corresponents s'adhereixen als estàndards del sector-com ara AUTOSAR CP (Classic Platform)-i estan dissenyats per integrar-se perfectament amb els sistemes operatius en temps real-compatibles amb POSIX-(p. ex., RT-Thread).
Per aconseguir una major densitat de potència, fiabilitat i miniaturització, les tecnologies d'embalatge i integració avançades són indispensables. Per exemple, la tecnologia d'embalatge de mòduls de potència incrustat en PCB- consisteix a incrustar directament xips de potència a l'estructura multicapa d'una PCB; aquest enfocament escurça dràsticament els bucles de potència, redueix la inductància parasitària (potencialment baixant-la a només un 25% de la que es troba en els productes tradicionals) i millora la fiabilitat termomecànica.
